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| IGBT突波吸收電容 |
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IGBT突波吸收電容 雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗， 多條引線(xiàn)設(shè)計(jì)，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過(guò)壓能力。 用于各類(lèi)IGBT緩沖線(xiàn)路突波吸收，各類(lèi)高頻諧振線(xiàn)路 材料特性 電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu) 封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹(shù)脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn). 尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù) 。(可按客戶(hù)需求定制特殊規(guī)格) 電氣特性 電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數(shù)據(jù) 額定電壓: 700 to 3000 Vdc 損耗角正切: Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF 耐電壓: 2Ur (DC) 工作溫度: -40~+ 以上產(chǎn)品全新原裝進(jìn)口，有現(xiàn)貨，直接代理商，有價(jià)格優(yōu)勢(shì) 深圳市嘉林電子有限公司 |
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